D45C8. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: D45C8

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 125 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TOP66

 Аналоги (замена) для D45C8

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

D45C8 даташит

 ..1. Size:138K  fairchild semi
 d45c8.pdf pdf_icon

D45C8

January 2010 D45C8 PNP Power Amplifier Sourced from process 5P. TO-220 1 1. Base 2. Collector 3. Emitter Absolute Maximum Ratings TA = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage -60 V IC Collector Current - Continuous -4.0 A TJ, TSTG Operating and Storage Junction Temperature Range -55 to +150 C Electrical Characteristics TA=25 C

 ..2. Size:134K  inchange semiconductor
 d45c8.pdf pdf_icon

D45C8

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Power Transistors D45C8 DESCRIPTION Low Saturation Voltage Good Linearity of hFE Fast Switching Speeds Complement to Type D44C8 APPLICATIONS Designed for various specific and general purpose application such as output and driver stages of amplifiers operating at frequencies from DC to greater than 1.0

Другие транзисторы: D45C11, D45C12, D45C2, D45C3, D45C4, D45C5, D45C6, D45C7, A1015, D45C9, D45D, D45D1, D45D2, D45D3, D45D4, D45D5, D45D6