Справочник транзисторов. DTC123EEFRA

 

Биполярный транзистор DTC123EEFRA Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: DTC123EEFRA
   Маркировка: 22
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 2.2 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: SOT-416
 

 Аналог (замена) для DTC123EEFRA

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DTC123EEFRA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2061K  rohm
dtc123eefra dtc123ekafra dtc123emfha dtc123euafra.pdfpdf_icon

DTC123EEFRA

DTC123E seriesDatasheetNPN 100mA 50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)AEC-Q101 QualifiedlOutlinelParameter Value VMT3 EMT3VCC50VIC(MAX.)100mA R12.2kDTC123EM DTC123EEDTC123EMFHA DTC123EEFRAR2 (SC-105AA) SOT-416(SC-75A)2.2k UMT3 SMT3lFeaturesl1) Built-In Biasing Resistors, R1 = R2 = 2.2k

 5.1. Size:139K  nxp
pdtc123eef pdtc123ek pdtc123es.pdfpdf_icon

DTC123EEFRA

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETPDTC123E seriesNPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k, R2 = 2.2 kProduct data sheet 2004 Aug 06Supersedes data of 2004 Mar 18NXP Semiconductors Product data sheetNPN resistor-equipped transistors; PDTC123E seriesR1 = 2.2 k, R2 = 2.2 kFEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistorsSYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UNI

 6.1. Size:68K  rohm
dtc123ee-eua-eka 22 sot416 323 346.pdfpdf_icon

DTC123EEFRA

TransistorsDigital transistors (built-in resistors)DTC123EE / DTC123EUA / DTC123EKADTC123ESAFFeatures FExternal dimensions (Units: mm)1) Built-in bias resistors enable theconfiguration of an inverter circuitwithout connecting external inputresistors (see equivalent circuit).2) The bias resistors consist of thin-film resistors with complete isola-tion to allow negative bias

 6.2. Size:685K  rohm
dtc123ee.pdfpdf_icon

DTC123EEFRA

DTC123E seriesDatasheetNPN 100mA 50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)lOutline VMT3 EMT3Parameter ValueOUT OUT VCC50VIN IN IC(MAX.) GND 100mAGND R12.2kWDTC123EM DTC123EE R2(SC-105AA) SOT-416 (SC-75A) 2.2kW UMT3 SMT3OUT OUT lFeaturesIN 1) Built-In Biasing Resistors, R1 = R2 = 2.2kW.IN GND GND 2) Built-in bias resi

Другие транзисторы... DTA143ZSA , DTA143ZUA , DTA144ECA , DTC123EET1G , DTA144EKA , DTA144ESA , DTA144EUA , DTA144GKA , 2N2907 , DTA144TCA , DTC123ECA , DTA144TKA , DTA144TSA , DTA144TUA , DTA144VKA , DTA144VSA , DTA144VUA .

History: BC817-40L | TK49C | 2SC2792 | 2SC2304 | DTC114YET1G | MJD122I | K2123A

 

 
Back to Top

 


 
.