DTB113ES datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DTB113ES

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 1 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 1 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 33

Корпус транзистора: SC72

 Аналоги (замена) для DTB113ES

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DTB113ES даташит

 ..1. Size:53K  rohm
 dtb113es.pdf pdf_icon

DTB113ES

DTB113EK / DTB113ES Transistors Digital transistors (built-in resistors) DTB113EK / DTB113ES Feature External dimensions (Unit mm) 1) Built-in bias resistors enable the + 2.9 0.2 - DTB113EK 1.1+0.2 configuration of an inverter circuit + -0.1 1.9 0.2 - + without connecting external input 0.8 0.1 0.95 0.95 - resistors (see equivalent circuit). (1) (2) 0 0.1 2

 7.1. Size:118K  nxp
 pdtb113e.pdf pdf_icon

DTB113ES

PDTB113E series PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 1 k , R2 = 1 k Rev. 02 16 November 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description 500 mA PNP Resistor-Equipped Transistors (RET) family. Table 1. Product overview Type number Package NPN complement NXP JEITA JEDEC PDTB113EK SOT346 SC-59A TO-236 PDTD113EK PDTB113ES[1] SOT54 SC-43A TO-92 PDT

 7.2. Size:311K  rohm
 dtb113ek.pdf pdf_icon

DTB113ES

DTB113EK Datasheet PNP -500mA -50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) lOutline SMT3 Parameter Value OUT VCC -50V IN IC(MAX.) -500mA GND R1 1kW DTB113EK R2 1kW SOT-346 (SC-59) lFeatures lInner circuit 1) Built-In Biasing Resistors, R1 = R2 = 1kW. 2) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting externa

 7.3. Size:165K  diodes
 ddtb113eu.pdf pdf_icon

DTB113ES

DDTB (xxxx) U DDTB (xxxx) U PNP PRE-BIASED 500 mA SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features Epitaxial Planar Die Construction SOT-323 A Complementary NPN Types Available (DDTD) Dim Min Max Built-In Biasing Resistors, R1, R2 A 0.25 0.40 Lead Free/RoHS Compliant (Note 2) B 1.15 1.35 "Green" Device (Note 3 and 4) B C C 2.00 2.20 Mechanical Data D 0.65 Nom

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: DTA144VKA, DTA144VSA, DTA144VUA, DTC115TS3, DTA144WKA, DTA144WSA, DTA144WUA, DTB113EK, 2N5401, DTB114EK, DTB114ES, DTB123EK, DTB123ES, DTB143EC, DTB143EK, DTB143ES, DTC113ZKA