Справочник транзисторов. DTC114ESA

 

Биполярный транзистор DTC114ESA Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: DTC114ESA
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: TO92S
 

 Аналог (замена) для DTC114ESA

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DTC114ESA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:426K  secos
dtc114eca dtc114esa dtc114eua.pdfpdf_icon

DTC114ESA

DTC114EE / DTC114EUA DTC114ECA / DTC114ESA / DTC114EM NPN Digital Transistors (Built-in Resistors) Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free FEATURES DTC114EE (SOT-523) DTC114EUA (SOT-323) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see equ

 ..2. Size:464K  wietron
dtc114esa.pdfpdf_icon

DTC114ESA

DTC114ESANPN DIGITAL TRANSISTORP b Lead(Pb)-FreeFeatures:1 2 3 without connecting external input resistors(see equivalent circuit).(1)GND (2)OUT (3)IN to allow negative biasing of the input.They also have the advantage device design easy.Absolute maximum ratings(Ta=25)Parameter Symbol Value UnitSupply voltage VCC 50 VInput voltage VIN -10 ~ 40 VIO 50Output curre

 6.1. Size:57K  motorola
pdtc114es 3.pdfpdf_icon

DTC114ESA

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D173PDTC114ESNPN resistor-equipped transistor1998 Nov 26Product specificationSupersedes data of 1998 May 18Philips Semiconductors Product specificationNPN resistor-equipped transistor PDTC114ESFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2(typ. 10 k each) Simplification of circuit designhandbook, halfpage2 Reduces numbe

 6.2. Size:57K  philips
pdtc114es 3.pdfpdf_icon

DTC114ESA

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D173PDTC114ESNPN resistor-equipped transistor1998 Nov 26Product specificationSupersedes data of 1998 May 18Philips Semiconductors Product specificationNPN resistor-equipped transistor PDTC114ESFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2(typ. 10 k each) Simplification of circuit designhandbook, halfpage2 Reduces numbe

Другие транзисторы... DTB143ES , DTC113ZKA , DTC113ZSA , DTC113ZUA , DTC114ECA , DTC115TN3 , DTC114EK , DTC114EKA , TIP42C , DTC114EUA , DTC114GKA , DTC114GSA , DTC114GUA , DTC114TCA , DTC115TM3T5G , DTC114TKA , DTC114TSA .

History: BF140A | 2SB371

 

 
Back to Top

 


 
.