Биполярный транзистор DTC114ESA Даташит. Аналоги
Наименование производителя: DTC114ESA
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: TO92S
- подбор биполярного транзистора по параметрам
DTC114ESA Datasheet (PDF)
dtc114eca dtc114esa dtc114eua.pdf

DTC114EE / DTC114EUA DTC114ECA / DTC114ESA / DTC114EM NPN Digital Transistors (Built-in Resistors) Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free FEATURES DTC114EE (SOT-523) DTC114EUA (SOT-323) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see equ
dtc114esa.pdf

DTC114ESANPN DIGITAL TRANSISTORP b Lead(Pb)-FreeFeatures:1 2 3 without connecting external input resistors(see equivalent circuit).(1)GND (2)OUT (3)IN to allow negative biasing of the input.They also have the advantage device design easy.Absolute maximum ratings(Ta=25)Parameter Symbol Value UnitSupply voltage VCC 50 VInput voltage VIN -10 ~ 40 VIO 50Output curre
pdtc114es 3.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D173PDTC114ESNPN resistor-equipped transistor1998 Nov 26Product specificationSupersedes data of 1998 May 18Philips Semiconductors Product specificationNPN resistor-equipped transistor PDTC114ESFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2(typ. 10 k each) Simplification of circuit designhandbook, halfpage2 Reduces numbe
pdtc114es 3.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D173PDTC114ESNPN resistor-equipped transistor1998 Nov 26Product specificationSupersedes data of 1998 May 18Philips Semiconductors Product specificationNPN resistor-equipped transistor PDTC114ESFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2(typ. 10 k each) Simplification of circuit designhandbook, halfpage2 Reduces numbe
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2SD1047 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
History: KT877A | MMDT3052DW-G | TBC558 | 2SD874AR | DTA114WKA | MMDT3052DW-E | BEL407
History: KT877A | MMDT3052DW-G | TBC558 | 2SD874AR | DTA114WKA | MMDT3052DW-E | BEL407



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc733 | a933 transistor | d209l | irfb4321 | 2n333 | c3852 | irfp140 | ksc2383 datasheet