EMB3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: EMB3

Маркировка: B3

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SC-107C

 Аналоги (замена) для EMB3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

EMB3 даташит

 ..1. Size:64K  rohm
 emb3 umb3n imb3a umb3n.pdf pdf_icon

EMB3

EMB3 / UMB3N / IMB3A Transistors General purpose (dual digital transistors) EMB3 / UMB3N / IMB3A External dimensions (Unit mm) Features 1) Two DTA143T chips in a EMT6 or UMT6 or SMT6 EMB3 1.6 0.5 package. 1.0 0.5 0.5 2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3 (6) (5) (4) automatic mounting machines. 1pin mark ( ) ( ) ( ) 1 2 3 3) Transistor elements are indep

 ..2. Size:504K  rohm
 emb3.pdf pdf_icon

EMB3

EMB3 / UMB3N / IMB3A Datasheet PNP -100mA -50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) lOutline EMT6 UMT6 Parameter Tr1 and Tr2 (6) (6) (5) (5) VCEO -50V (4) (4) (1) (1) (2) IC(MAX.) (2) -100mA (3) (3) R1 4.7kW EMB3 UMB3N (SC-107C) SOT-353 (SC-88) SMT6 (4) (5) lFeatures (6) 1) Built-In Biasing Resistors. (3) (2)

 ..3. Size:546K  htsemi
 emb3.pdf pdf_icon

EMB3

EMB3 DIGITAL TRANSISTOR (PNP+ PNP) SOT-563 FEATURES Two DTA143T chips in a package Transistor elements are independent, eliminating interference. Mounting cost and area can be cut in half. 1 External circuit MARKING B3 Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Parameter Symbol Limits Unit Collector-base voltage V(BR)CBO -50 V Collector-emitter voltage V(BR)CEO -50 V Emit

 0.1. Size:49K  philips
 pemb3.pdf pdf_icon

EMB3

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D744 PEMB3 PNP resistor-equipped double transistor R1 = 4.7 k , R2 = open Preliminary specification 2001 Sep 14 Philips Semiconductors Preliminary specification PNP resistor-equipped double transistor PEMB3 R1 = 4.7 k , R2 = open FEATURES QUICK REFERENCE DATA 300 mW total power dissipation SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT Very small 1.6

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: EMB52, DTC314TK, EMB53, DTC314TS, EMB3FHA, EMB4, EMB4FHA, DTC343TK, 2N3906, DTC343TS, EMB2FHA, DTC363EK, DTC363EU, DTD113EK, DTD113ES, DTD114EK, DTD114ES