Справочник транзисторов. E20079

 

Биполярный транзистор E20079 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: E20079
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 52 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1600 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 13 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: 20209

 Аналоги (замена) для E20079

 

 

E20079 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:344K  ncepower
nce2007n.pdf

E20079
E20079

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE2007NSNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D1D2The NCE2007N uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate G1 G2voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. S1 S2Schematic diagram Ge

 9.2. Size:322K  ncepower
nce2007ns.pdf

E20079
E20079

http://www.ncepower.com NCE2007NSNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE2007NS uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. Schematic diagram General Features VDS = 20V,ID = 6.5A

 9.3. Size:618K  cn sino-ic
se20075.pdf

E20079
E20079

SE20075N-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesFor a single MOSFETAdvanced trench technology to provideexcellent RDS(ON), low gate charge and low V = 200VDSoperation voltage. This device is suitable for R =15.8m @V =10VDS(ON) GSusing as a load switch or in PWMapplications. Simple Drive Requirement Small Package Outline

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top