E20079 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: E20079  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 52 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1600 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 13 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: 20209

 Аналоги (замена) для E20079

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

E20079 даташит

 9.1. Size:344K  ncepower
 nce2007n.pdf pdf_icon

E20079

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE2007N SNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D1 D2 The NCE2007N uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate G1 G2 voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. S1 S2 Schematic diagram Ge

 9.2. Size:322K  ncepower
 nce2007ns.pdf pdf_icon

E20079

http //www.ncepower.com NCE2007NS NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE2007NS uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. Schematic diagram General Features VDS = 20V,ID = 6.5A

 9.3. Size:618K  cn sino-ic
 se20075.pdf pdf_icon

E20079

SE20075 N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features For a single MOSFET Advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and low V = 200V DS operation voltage. This device is suitable for R =15.8m @V =10V DS(ON) GS using as a load switch or in PWM applications. Simple Drive Requirement Small Package Outline

Другие транзисторы: DW7975, DZ9A4, DZ9A5, E10-28, E1-28, E1617, E1694, E1B, A1941, E20080, E20124, E20155, E20158, E20180, E20182, E20188, E20190