Справочник транзисторов. E20080

 

Биполярный транзистор E20080 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: E20080
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 123 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3.4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1600 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: 20209
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

E20080 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:346K  ncepower
 nce2008e.pdf pdf_icon

E20080

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE2008ENCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE2008E uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications .It is ESD protested. Schematic diagram General Features

 9.2. Size:287K  ncepower
 nce2008n.pdf pdf_icon

E20080

http://www.ncepower.com NCE2008NSNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET D1D2Description G1 G2The NCE2008N uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate S1 S2voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. Schematic diagram General Features

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: 2SC2257A | BC337A-16 | TV37

 

 
Back to Top

 


 
.