Биполярный транзистор E20080 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: E20080
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 123 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3.4 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1600 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Корпус транзистора: 20209
E20080 Datasheet (PDF)
nce2008e.pdf
Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE2008ENCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE2008E uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications .It is ESD protested. Schematic diagram General Features
nce2008n.pdf
http://www.ncepower.com NCE2008NSNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET D1D2Description G1 G2The NCE2008N uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate S1 S2voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. Schematic diagram General Features
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
