E20080 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: E20080  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 123 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3.4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1600 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: 20209

 Аналоги (замена) для E20080

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

E20080 даташит

 9.1. Size:346K  ncepower
 nce2008e.pdf pdf_icon

E20080

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE2008E NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE2008E uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications .It is ESD protested. Schematic diagram General Features

 9.2. Size:287K  ncepower
 nce2008n.pdf pdf_icon

E20080

Другие транзисторы: DZ9A4, DZ9A5, E10-28, E1-28, E1617, E1694, E1B, E20079, TIP31C, E20124, E20155, E20158, E20180, E20182, E20188, E20190, E20192