E20080 Todos los transistores

 

E20080 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: E20080
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 123 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3.4 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 1600 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 25 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
   Paquete / Cubierta: 20209
 

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E20080 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:346K  ncepower
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E20080

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE2008ENCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE2008E uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications .It is ESD protested. Schematic diagram General Features

 9.2. Size:287K  ncepower
 nce2008n.pdf pdf_icon

E20080

http://www.ncepower.com NCE2008NSNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET D1D2Description G1 G2The NCE2008N uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate S1 S2voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. Schematic diagram General Features

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