E20124 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: E20124  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 130 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7.8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1400 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: 20209

  📄📄 Копировать ⓘ

 Аналоги (замена) для E20124

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

E20124 даташит

 0.1. Size:252K  ericsson
 pte20124.pdf pdf_icon

E20124

e PTE 20124* 40 Watts, 1.465 1.513 GHz Cellular Radio RF Power Transistor Description The 20124 is an NPN common emitter RF power transistor intended 40 Watts, 1.465 1.513 GHz for 26 Vdc class AB operation from 1.45 to 1.52 GHz. Rated at 40 Class AB Characteristics watts minimum output power, it is specifically intended for cellular Gold Metallization and DAB power app

 9.1. Size:371K  ncepower
 nce2012.pdf pdf_icon

E20124

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE2012 NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE2012 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =20V,ID =12A Schematic diagram RDS(ON)

Другие транзисторы: DZ9A5, E10-28, E1-28, E1617, E1694, E1B, E20079, E20080, 2N2222A, E20155, E20158, E20180, E20182, E20188, E20190, E20192, E20231