Справочник транзисторов. E20124

 

Биполярный транзистор E20124 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: E20124
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 130 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7.8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1400 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: 20209
 

 Аналог (замена) для E20124

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

E20124 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:252K  ericsson
 pte20124.pdf pdf_icon

E20124

ePTE 20124*40 Watts, 1.4651.513 GHzCellular Radio RF Power TransistorDescriptionThe 20124 is an NPN common emitter RF power transistor intended 40 Watts, 1.4651.513 GHzfor 26 Vdc class AB operation from 1.45 to 1.52 GHz. Rated at 40 Class AB Characteristicswatts minimum output power, it is specifically intended for cellular Gold Metallizationand DAB power app

 9.1. Size:371K  ncepower
 nce2012.pdf pdf_icon

E20124

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE2012NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE2012 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =20V,ID =12A Schematic diagram RDS(ON)

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , BC546 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: PN930A

 

 
Back to Top

 


 
.