E20124 Todos los transistores

 

E20124 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: E20124
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 130 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 7.8 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 1400 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
   Paquete / Cubierta: 20209
 

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E20124 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:252K  ericsson
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E20124

ePTE 20124*40 Watts, 1.4651.513 GHzCellular Radio RF Power TransistorDescriptionThe 20124 is an NPN common emitter RF power transistor intended 40 Watts, 1.4651.513 GHzfor 26 Vdc class AB operation from 1.45 to 1.52 GHz. Rated at 40 Class AB Characteristicswatts minimum output power, it is specifically intended for cellular Gold Metallizationand DAB power app

 9.1. Size:371K  ncepower
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E20124

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE2012NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE2012 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =20V,ID =12A Schematic diagram RDS(ON)

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