Справочник транзисторов. E20155

 

Биполярный транзистор E20155 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: E20155
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6.7 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 610 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
   Корпус транзистора: 20209
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

E20155 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:62K  philips
lwe2015r 2.pdfpdf_icon

E20155

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETLWE2015RNPN microwave power transistor1997 Feb 19Product specificationSupersedes data of November 1994File under Discrete Semiconductors, SC15Philips Semiconductors Product specificationNPN microwave power transistor LWE2015RFEATURES PINNING - SOT446A Interdigitated structure provides high emitter efficiencyPIN DESCRIPTION Diffus

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2SD1047 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

History: 2SD1879 | MD6003F

 

 
Back to Top

 


 
.