E20155 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: E20155
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 65 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
Tensión emisor-base (Veb): 4 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 6.7 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 610 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 10 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
Paquete / Cubierta: 20209
- Selección de transistores por parámetros
E20155 Datasheet (PDF)
lwe2015r 2.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETLWE2015RNPN microwave power transistor1997 Feb 19Product specificationSupersedes data of November 1994File under Discrete Semiconductors, SC15Philips Semiconductors Product specificationNPN microwave power transistor LWE2015RFEATURES PINNING - SOT446A Interdigitated structure provides high emitter efficiencyPIN DESCRIPTION Diffus
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: 2SD1189 | DTL3512 | 2SD1018 | 2SA1375 | KSB795 | RT1N130M | 2N2665
History: 2SD1189 | DTL3512 | 2SD1018 | 2SA1375 | KSB795 | RT1N130M | 2N2665



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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