E20155 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: E20155 📄📄
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 65 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
Tensión emisor-base (Veb): 4 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 6.7 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 610 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 10 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 25
Encapsulados: 20209
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E20155 datasheet
lwe2015r 2.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET LWE2015R NPN microwave power transistor 1997 Feb 19 Product specification Supersedes data of November 1994 File under Discrete Semiconductors, SC15 Philips Semiconductors Product specification NPN microwave power transistor LWE2015R FEATURES PINNING - SOT446A Interdigitated structure provides high emitter efficiency PIN DESCRIPTION Diffus
Otros transistores... E10-28, E1-28, E1617, E1694, E1B, E20079, E20080, E20124, 2SA1943, E20158, E20180, E20182, E20188, E20190, E20192, E20231, E20232
Parámetros del transistor bipolar y su interrelación.
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
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