E20158 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: E20158  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 860 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: M169

  📄📄 Копировать ⓘ

 Аналоги (замена) для E20158

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

E20158 даташит

 9.1. Size:62K  philips
 lwe2015r 2.pdf pdf_icon

E20158

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET LWE2015R NPN microwave power transistor 1997 Feb 19 Product specification Supersedes data of November 1994 File under Discrete Semiconductors, SC15 Philips Semiconductors Product specification NPN microwave power transistor LWE2015R FEATURES PINNING - SOT446A Interdigitated structure provides high emitter efficiency PIN DESCRIPTION Diffus

Другие транзисторы: E1-28, E1617, E1694, E1B, E20079, E20080, E20124, E20155, 13003, E20180, E20182, E20188, E20190, E20192, E20231, E20232, E20235