Справочник транзисторов. E20158

 

Биполярный транзистор E20158 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: E20158
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 860 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: M169
 

 Аналог (замена) для E20158

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

E20158 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:62K  philips
 lwe2015r 2.pdf pdf_icon

E20158

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETLWE2015RNPN microwave power transistor1997 Feb 19Product specificationSupersedes data of November 1994File under Discrete Semiconductors, SC15Philips Semiconductors Product specificationNPN microwave power transistor LWE2015RFEATURES PINNING - SOT446A Interdigitated structure provides high emitter efficiencyPIN DESCRIPTION Diffus

Другие транзисторы... E1-28 , E1617 , E1694 , E1B , E20079 , E20080 , E20124 , E20155 , S8050 , E20180 , E20182 , E20188 , E20190 , E20192 , E20231 , E20232 , E20235 .

 

 
Back to Top

 


 
.