Биполярный транзистор E20158 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: E20158
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 860 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: M169
E20158 Datasheet (PDF)
lwe2015r 2.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETLWE2015RNPN microwave power transistor1997 Feb 19Product specificationSupersedes data of November 1994File under Discrete Semiconductors, SC15Philips Semiconductors Product specificationNPN microwave power transistor LWE2015RFEATURES PINNING - SOT446A Interdigitated structure provides high emitter efficiencyPIN DESCRIPTION Diffus
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .