E20158 Todos los transistores

 

E20158 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: E20158
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 200 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 860 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 10 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: M169
 

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E20158 Datasheet (PDF)

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E20158

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETLWE2015RNPN microwave power transistor1997 Feb 19Product specificationSupersedes data of November 1994File under Discrete Semiconductors, SC15Philips Semiconductors Product specificationNPN microwave power transistor LWE2015RFEATURES PINNING - SOT446A Interdigitated structure provides high emitter efficiencyPIN DESCRIPTION Diffus

Otros transistores... E1-28 , E1617 , E1694 , E1B , E20079 , E20080 , E20124 , E20155 , S8050 , E20180 , E20182 , E20188 , E20190 , E20192 , E20231 , E20232 , E20235 .

History: GT309A | CSC460B | GT321E | 2SD5072 | 2N2800S

 

 
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