E20158 Todos los transistores

 

E20158 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: E20158
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 200 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 860 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 10 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: M169
 

 Búsqueda de reemplazo de E20158

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

E20158 datasheet

 9.1. Size:62K  philips
lwe2015r 2.pdf pdf_icon

E20158

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET LWE2015R NPN microwave power transistor 1997 Feb 19 Product specification Supersedes data of November 1994 File under Discrete Semiconductors, SC15 Philips Semiconductors Product specification NPN microwave power transistor LWE2015R FEATURES PINNING - SOT446A Interdigitated structure provides high emitter efficiency PIN DESCRIPTION Diffus

Otros transistores... E1-28 , E1617 , E1694 , E1B , E20079 , E20080 , E20124 , E20155 , 13003 , E20180 , E20182 , E20188 , E20190 , E20192 , E20231 , E20232 , E20235 .

History: E20180

 

 

 


 
↑ Back to Top
.