F105. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: F105

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 140 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для F105

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

F105 даташит

 ..1. Size:885K  fairchild semi
fqp7n65c fqpf7n65cydtu fqpf7n65c f105.pdfpdf_icon

F105

QFET FQP7N65C/FQPF7N65C 650V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 7A, 650V, RDS(on) = 1.4 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 28 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 12 pF) This advanced technology has been especially tailored to

 0.1. Size:1239K  1
ipd105n03lg ipf105n03lg ips105n03lg ipu105n03lg.pdfpdf_icon

F105

pe % # ! % # ! %' # ! %) # ! % (>.;?6?@ %>E Features D S !4EF EI

 0.2. Size:104K  motorola
mrf10500 mrf10501.pdfpdf_icon

F105

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF10500/D The RF Line Microwave Pulse MRF10500 Power Transistors MRF10501 . . . designed for 1025 1150 MHz pulse common base amplifier applications such as TCAS, TACAN and Mode S transmitters. Guaranteed Performance @ 1090 MHz Output Power = 500 Watts Peak 500 W (PEAK) Gain = 8.5 dB Min, 9.0 dB (Typ) 1025 115

 0.3. Size:104K  motorola
mrf10500.pdfpdf_icon

F105

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF10500/D The RF Line Microwave Pulse MRF10500 Power Transistors MRF10501 . . . designed for 1025 1150 MHz pulse common base amplifier applications such as TCAS, TACAN and Mode S transmitters. Guaranteed Performance @ 1090 MHz Output Power = 500 Watts Peak 500 W (PEAK) Gain = 8.5 dB Min, 9.0 dB (Typ) 1025 115

Другие транзисторы: EW721, EW722, EW723, EWQ282, F101, F102, F103, F104, 2SC2655, F106, F107, F108, F109, F110, F111, F112, F113