Справочник транзисторов. F105

 

Биполярный транзистор F105 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: F105
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 140 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для F105

 

 

F105 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:885K  fairchild semi
fqp7n65c fqpf7n65cydtu fqpf7n65c f105.pdf

F105
F105

QFETFQP7N65C/FQPF7N65C650V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 7A, 650V, RDS(on) = 1.4 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 28 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 12 pF)This advanced technology has been especially tailored to

 0.1. Size:1239K  1
ipd105n03lg ipf105n03lg ips105n03lg ipu105n03lg.pdf

F105
F105

pe % # ! % # ! %' # ! %) # ! % (>.;?6?@%>EFeaturesD S !4EF EI

 0.2. Size:104K  motorola
mrf10500 mrf10501.pdf

F105
F105

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF10500/DThe RF LineMicrowave PulseMRF10500Power TransistorsMRF10501. . . designed for 10251150 MHz pulse common base amplifier applicationssuch as TCAS, TACAN and ModeS transmitters. Guaranteed Performance @ 1090 MHzOutput Power = 500 Watts Peak500 W (PEAK)Gain = 8.5 dB Min, 9.0 dB (Typ)1025115

 0.3. Size:104K  motorola
mrf10500.pdf

F105
F105

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF10500/DThe RF LineMicrowave PulseMRF10500Power TransistorsMRF10501. . . designed for 10251150 MHz pulse common base amplifier applicationssuch as TCAS, TACAN and ModeS transmitters. Guaranteed Performance @ 1090 MHzOutput Power = 500 Watts Peak500 W (PEAK)Gain = 8.5 dB Min, 9.0 dB (Typ)1025115

 0.4. Size:182K  macom
mrf10502.pdf

F105
F105

MRF10502 Microwave Pulse Power Silicon NPN Transistor M/A-COM Products Released - Rev. 07.07 500W (peak), 10251150MHz Product Image Designed for 10251150 MHz pulse common base amplifier applications such as TCAS, TACAN and ModeS transmitters. Guaranteed performance @ 1090 MHz Output power = 500 W peak Gain = 8.5 dB min, 9.0 dB (typ.) 100% tested for load

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top