F111. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: F111

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 85 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 140 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1.5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO62

 Аналоги (замена) для F111

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

F111 даташит

 0.1. Size:874K  silikron
 ssf1116a.pdf pdf_icon

F111

SSF1116A Feathers ID =75A Advanced trench process technology BV=110V avalanche energy, 100% test Rdson=12m (Typ.) Fully characterized avalanche voltage and current Description The SSF1116A is a new generation of high voltage and low current N Channel enhancement mode trench power MOSFET. This new technology increases the device reliability and electrical par

 0.2. Size:1098K  silikron
 ssf1116.pdf pdf_icon

F111

SSF1116 Feathers ID =75A Advanced trench process technology BV=110V avalanche energy, 100% test Rdson=12m (Typ.) Fully characterized avalanche voltage and current Description The SSF1116 is a new generation of high voltage and low current N Channel enhancement mode trench power MOSFET. This new technology increases the device reliability and electrical param

 0.3. Size:1418K  goodark
 sf1116.pdf pdf_icon

F111

SSF1116 110V N-Channel MOSFET FEATURES ID =75A Advanced trench process technology BV=110V avalanche energy, 100% test Rdson=12m (Typ.) Fully characterized avalanche voltage and current DESCRIPTION The SSF1116 is a new generation of high voltage and low current N Channel enhancement mode trench power MOSFET. This new technology increases the device reliabi

Другие транзисторы: F103, F104, F105, F106, F107, F108, F109, F110, 2SC5198, F112, F113, F114, F115, F116, F117, F117A, F118