F115. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: F115

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 140 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для F115

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

F115 даташит

 0.1. Size:128K  motorola
 mrf1150marev8.pdf pdf_icon

F115

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF1150MA/D The RF Line Microwave Pulse MRF1150MA Power Transistors MRF1150MB Designed for Class B and C common base amplifier applications in short pulse TACAN, IFF, and DME transmitters. Guaranteed Performance @ 1090 MHz, 50 Vdc Output Power = 150 Watts Peak 150 W PEAK, 960 1215 MHz Minimum Gain = 7.8 dB MICROWA

 0.2. Size:104K  motorola
 mrf1150m.pdf pdf_icon

F115

 0.3. Size:128K  motorola
 mrf1150ma mrf1150mb.pdf pdf_icon

F115

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF1150MA/D The RF Line Microwave Pulse MRF1150MA Power Transistors MRF1150MB Designed for Class B and C common base amplifier applications in short pulse TACAN, IFF, and DME transmitters. Guaranteed Performance @ 1090 MHz, 50 Vdc Output Power = 150 Watts Peak 150 W PEAK, 960 1215 MHz Minimum Gain = 7.8 dB MICROWA

 0.4. Size:104K  motorola
 mrf1150ma.pdf pdf_icon

F115

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: F107, F108, F109, F110, F111, F112, F113, F114, TIP2955, F116, F117, F117A, F118, F118A, F119, F119A, F120