Биполярный транзистор FMMT4400 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: FMMT4400
Маркировка: 1K_1KZ
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.33 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
Корпус транзистора: SOT23
FMMT4400 Datasheet (PDF)
fmmt4400 fmmt4401.pdf
SOT23 NPN SILICON PLANAR400 FMMT4400GENERAL PURPOSE TRANSISTORS401 FMMT4401ISSUE 4 FEBRUARY 1997 E T I D T I T C T VB ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated) T T T I I IT DITI II i V V I I V I II V V I I V I
fmmt4402 fmmt4403.pdf
SOT23 PNP SILICON PLANAR402 FMMT4402GENERAL PURPOSE TRANSISTOR403 FMMT4403ISSUE 2 - MARCH 1995 E T I D T I T C T VB ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated) T T T I I IT DITI II i V V I I V I II V V I I V I i V
fmmt449.pdf
FMMT449CEB SuperSOTTM-3 NPN Low Saturation Transistor These devices are designed with high current gain and low saturation voltage with collector currents up to 2A continuous. Sourced from Process NB. Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter FMMT449 Units30 VVCEO Collector-Emitter Voltage50 VVCBO Collector-Base Voltage5 VVEBO
fmmt449.pdf
SOT23 NPN SILICON PLANAR49 FMMT449MEDIUM POWER TRANSISTORISSUE 3 - NOVEMBER 1995 T i I i RCE(sat) 250m at 1AEC T T T T I D T I BABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T I IT DITI II V V I I V I II i V
fmmt449.pdf
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD J C T SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors FMMT449 TRANSISTOR (NPN) SOT23 FEATURES Low Equivalent On-Resistance MARKING: 449 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) 1. BASE Symbol Parameter Value Unit 2. EMITTER V Collector-Base Voltage 50 V CBO3. COLLECTOR V Collector-Emitter Voltage 30 V CEO
fmmt449.pdf
FMMT449 TRANSISTOR (NPN) SOT23 FEATURES Low Equivalent On-Resistance MARKING: 449 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) 1. BASE Symbol Parameter Value Unit 2. EMITTER V Collector-Base Voltage 50 V CBO3. COLLECTOR V Collector-Emitter Voltage 30 V CEOV Emitter-Base Voltage 5 V EBOI Collector Current 1 A CPC Collector Power Dissipation 200
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , BC327 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050