FT1341. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: FT1341
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 480 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30
Корпус транзистора: TO18
Аналоги (замена) для FT1341
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
FT1341 даташит
sft1341.pdf
SFT1341 Ordering number ENA1444 SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device SFT1341 Applications Features 1.8V drive. Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS --40 V Gate-to-Source Voltage VGSS 10 V Drain Current (DC) ID --10 A Drain Current (P
sft1342.pdf
SFT1342 Ordering number ENA1559 SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device SFT1342 Applications Features Motor drive application. 4V drive. Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS --60 V Gate-to-Source Voltage VGSS 20 V Drain Current (DC)
sft1345.pdf
SFT1345 Ordering number EN8987 SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device SFT1345 Applications Features ON-resistance RDS(on)1=210m (typ.) Input Capacitance Ciss=1020pF(typ.) 4V drive Halogen free compliance Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-
sft1342.pdf
Ordering number ENA1559B SFT1342 Power MOSFET http //onsemi.com 60V, 62m , 12A, Single P-Channel Features Electrical Connection P-Channel Low On-Resistance High Speed Switching 2, 4 Low Gate Charge ESD Diode-Protected Gate Pb-free and RoHS Compliance 1 Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta = 25 C 3 Parameter Symbol Value Unit V
Другие транзисторы: FT118, FT1210, FT123, FT1310, FT1315, FT1324, FT1324B, FT1324C, D882P, FT1551, FT1607R, FT1608R, FT17, FT1702, FT1717AR, FT1717R, FT1718
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
mpsa20 | irfp264 | ksc2690 | bc546 datasheet | mpsa06 transistor | tta004b | 2sc1116 | 2n3565 equivalent





