GD110 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GD110  📄📄 

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 90 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: TO3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для GD110

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GD110 даташит

 0.1. Size:110K  onsemi
ntgd1100l.pdfpdf_icon

GD110

NTGD1100L Power MOSFET 8 V, 3.3 A, Load Switch with Level-Shift, P-Channel, TSOP-6 The NTGD1100L integrates a P and N-Channel MOSFET in a single package. This device is particularly suited for portable electronic equipment where low control signals, low battery voltages http //onsemi.com and high load currents are needed. The P-Channel device is specifically designed as a load switch

 0.2. Size:972K  cn hunteck
hgd110n08al hgi110n08al.pdfpdf_icon

GD110

HGD110N08AL , HGI110N08AL P-1 80V N-Ch Power MOSFET Feature 80 V VDS High Speed Power Switching, Logic level 9.5 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 13.5 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 50 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in

 0.3. Size:938K  cn hunteck
hgd110n10sl hgi110n10sl.pdfpdf_icon

GD110

 0.4. Size:983K  cn hunteck
hgd110n08a hgi110n08a.pdfpdf_icon

GD110

HGD110N08A , HGI110N08A P-1 80V N-Ch Power MOSFET Feature High Speed Power Switching 80 V VDS Enhanced Body diode dv/dt capability 9.6 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness 51 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Switching and High Speed Circuit

Другие транзисторы: GC525, GC526, GC527, GCN53, GCN54, GCN55, GCN56, GD100, BDT88, GD114, GD115, GD120, GD125, GD130, GD133, GD134, GD135