GD110 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: GD110 📄📄
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 90 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.5 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80
Корпус транзистора: TO3
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для GD110
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
GD110 даташит
ntgd1100l.pdf
NTGD1100L Power MOSFET 8 V, 3.3 A, Load Switch with Level-Shift, P-Channel, TSOP-6 The NTGD1100L integrates a P and N-Channel MOSFET in a single package. This device is particularly suited for portable electronic equipment where low control signals, low battery voltages http //onsemi.com and high load currents are needed. The P-Channel device is specifically designed as a load switch
hgd110n08al hgi110n08al.pdf
HGD110N08AL , HGI110N08AL P-1 80V N-Ch Power MOSFET Feature 80 V VDS High Speed Power Switching, Logic level 9.5 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 13.5 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 50 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in
hgd110n08a hgi110n08a.pdf
HGD110N08A , HGI110N08A P-1 80V N-Ch Power MOSFET Feature High Speed Power Switching 80 V VDS Enhanced Body diode dv/dt capability 9.6 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness 51 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Switching and High Speed Circuit
Другие транзисторы: GC525, GC526, GC527, GCN53, GCN54, GCN55, GCN56, GD100, BDT88, GD114, GD115, GD120, GD125, GD130, GD133, GD134, GD135
Параметры биполярного транзистора и их взаимосвязь
History: CSB1086AQ | ESM3045DV | 2N3321 | BDX61
🌐 : EN
ES
РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
Popular searches
irfb3607pbf datasheet | 60n60 | 2n5485 equivalent | 2sa1941 | 2sc485 | 2sd287 | 2sd438 | a1492




