GD125 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GD125  📄📄 

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 66 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 90 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для GD125

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GD125 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: GCN54, GCN55, GCN56, GD100, GD110, GD114, GD115, GD120, TIP41C, GD130, GD133, GD134, GD135, GD142, GD150, GD151, GD152