GD175B datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GD175B

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 5.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 90 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для GD175B

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GD175B даташит

 9.1. Size:888K  nxp
 pmgd175xn.pdf pdf_icon

GD175B

PMGD175XN 30 V, dual N-channel Trench MOSFET Rev. 1 1 June 2012 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Dual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a very small SOT363 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits Very fast switching Trench MOSFET technology 1.3 Applications

 9.2. Size:327K  gdr
 gd160 gd170 gd175 gd180 gd240 gd241 gd242 gd243 gd244.pdf pdf_icon

GD175B

Другие транзисторы: GD160B, GD160C, GD170, GD170A, GD170B, GD170C, GD175, GD175A, TIP3055, GD175C, GD180, GD180A, GD180B, GD180C, GD183, GD190, GD191