GD175B . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GD175B
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 5.3 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
Tensión emisor-base (Veb): 12 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 90 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
Paquete / Cubierta: TO3
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar GD175B
GD175B Datasheet (PDF)
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PMGD175XN30 V, dual N-channel Trench MOSFETRev. 1 1 June 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionDual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a very small SOT363 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Very fast switching Trench MOSFET technology1.3 Applications
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