GD175B Todos los transistores

 

GD175B . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GD175B
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 5.3 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
   Tensión emisor-base (Veb): 12 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 90 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
   Paquete / Cubierta: TO3

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GD175B Datasheet (PDF)

 9.1. Size:888K  nxp
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GD175B

PMGD175XN 30 V, dual N-channel Trench MOSFET Rev. 1 1 June 2012 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Dual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a very small SOT363 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits Very fast switching Trench MOSFET technology 1.3 Applications

 9.2. Size:327K  gdr
 gd160 gd170 gd175 gd180 gd240 gd241 gd242 gd243 gd244.pdf pdf_icon

GD175B

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History: 2SC2879 | MJD112-1G | RN2312 | A178 | BUT21A | 2SC2890 | BUS132

 

 
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