GE10008 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GE10008  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 175 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 650 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 325 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для GE10008

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GE10008 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: GE10000, GE10001, GE10002, GE10003, GE10004, GE10005, GE10006, GE10007, 2SC2655, GE10009, GE10015, GE10016, GE10020, GE10021, GE10022, GE10023, GE-193