GSDR10025 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GSDR10025  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 25 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для GSDR10025

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GSDR10025 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: GS9020, GS9020G, GS9020H, GS9021, GS9022, GSDB10008, GSDR10020, GSDR10020I, TIP2955, GSDR10025I, GSDR15020, GSDR15020I, GSDR15025, GSDR15025I, GSDS50018, GSDS50020, GSDU7530