GT8102 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GT8102  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 120 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 750

Корпус транзистора: TO3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для GT8102

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GT8102 даташит

 9.1. Size:415K  russia
 gt810a.pdf pdf_icon

GT8102

Другие транзисторы: GT806A, GT806B, GT806D, GT806G, GT806V, GT81, GT8100, GT8101, BD135, GT8103, GT810A, GT811, GT812, GT813A, GT813B, GT813V, GT81H