GT812 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GT812  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 300

Корпус транзистора: TO220

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для GT812

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GT812 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: GT806V, GT81, GT8100, GT8101, GT8102, GT8103, GT810A, GT811, TIP127, GT813A, GT813B, GT813V, GT81H, GT81HS, GT82, GT83, GT87