Биполярный транзистор HEPG0009 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: HEPG0009
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 24 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.35 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: TO18
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам