HEPG0009 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HEPG0009  📄📄 

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 24 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.35 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: TO18

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для HEPG0009

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HEPG0009 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: HEP637, HEPG0001, HEPG0002, HEPG0003, HEPG0005, HEPG0006, HEPG0007, HEPG0008, D667, HEPG0011, HEPS0005, HEPS0008, HEPS0009, HEPS0010, HEPS0011, HEPS0012, HEPS0013