HF100 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HF100

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.03 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 7.5

 Аналоги (замена) для HF100

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HF100 даташит

 0.1. Size:1507K  cn wxdh
 dh100n03b13 dhf100n03b13 dhi100n03b13 dhe100n03b13 dhb100n03b13 dhd100n03b13.pdf pdf_icon

HF100

DH100N03B13/DHF100N03B13/DHI100N03B13/ DHE100N03B13/DHB100N03B13/DHD100N03B13 100A 30V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 30V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS G R = 3.3m DS(on) (TYP) standard. 1 3 S I = 100A D 2 Featur

 0.2. Size:281K  dacosemi
 dahf100g120sa.pdf pdf_icon

HF100

DAHF100G120SA DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD. IGBT Power Module 1200V / 100A HD-9434 Preliminary Features 34mm Fast Switching Trench / Field Stop IGBT Technology Low Switching Losses Super Fast Diodes High Short Circuit Capability Applications Welder / Power Supply Circuit Diagram Headline UPS / Inverter 6 Industrial Motor Drive 7 1 2 3 Maximum Ratings

Другие транзисторы: HEPS9147, HEPS9148, HEPS9149, HEPS9150, HEPS9151, HEPS9152, HEPS9153, HF0100, 2N2222, HF200, HF8004, HK100, HL100, HNT1T018, HNT1T05, HPA100R, HPA100R-2