2N3816 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N3816  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 150

Корпус транзистора: 610A-03

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2N3816

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N3816 даташит

 9.1. Size:65K  philips
2n3819-p.pdfpdf_icon

2N3816

 9.2. Size:387K  st
2n3810hr.pdfpdf_icon

2N3816

2N3810HR Hi-Rel PNP dual matched bipolar transistor 60 V, 0.05 A Datasheet - production data Features BVCEO 60 V IC (max) 0.05 A HFE at 10 V - 150 mA > 150 Operating temperature range -65 C to +200 C 1 2 3 4 6 5 Hi-Rel PNP dual matched bipolar transistor TO-78 LCC-6 Linear gain characteristics ESCC qualified European preferred part list - EPPL Radiatio

 9.3. Size:29K  fairchild semi
2n3819.pdfpdf_icon

2N3816

2N3819 N-Channel RF Amplifier This device is designed for RF amplifier and mixer applications operating up to 450MHz, and for analog switching requiring low capacitance. Sourced from process 50. TO-92 1 1. Drain 2. Gate 3. Source Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings* TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings Units VDG Drain-Gate Voltage 25

 9.4. Size:53K  vishay
2n3819 2.pdfpdf_icon

2N3816

2N3819 Vishay Siliconix N-Channel JFET PRODUCT SUMMARY VGS(off) (V) V(BR)GSS Min (V) gfs Min (mS) IDSS Min (mA) v 8 25 2 2 FEATURES BENEFITS APPLICATIONS D Excellent High-Frequency Gain D Wideband High Gain D High-Frequency Amplifier/Mixer Gps 11 dB @ 400 MHz D Very High System Sensitivity D Oscillator D Very Low Noise 3 dB @ 400 MHz D High Quality of Amplification D Sample-a

Другие транзисторы: 2N3811, 2N3811A, 2N3811ADCSM, 2N3811DCSM, 2N3812, 2N3813, 2N3814, 2N3815, 8050, 2N3816A, 2N3817, 2N3817A, 2N3818, 2N382, 2N3825, 2N3826, 2N3827