HNT1T018 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HNT1T018  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: TO18

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для HNT1T018

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HNT1T018 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: HEPS9152, HEPS9153, HF0100, HF100, HF200, HF8004, HK100, HL100, 2N3055, HNT1T05, HPA100R, HPA100R-2, HPA100R-3, HPA100R-4, HPA150R, HPA150R-2, HPA150R-3