2N3841 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N3841  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1.5 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 9 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO18

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2N3841

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N3841 даташит

 9.1. Size:659K  rca
 2n384.pdf pdf_icon

2N3841

 9.2. Size:67K  microsemi
 2n3846 2n3847.pdf pdf_icon

2N3841

TECHNICAL DATA NPN POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/412 Devices Qualified Level JAN 2N3846 2N3847 JANTX JANTXV MAXIMUM RATINGS Ratings Symbol 2N3846 2N3847 Units Collector-Emitter Voltage 200 300 Vdc VCEO Collector-Base Voltage 300 400 Vdc VCBO Emitter-Base Voltage 10 Vdc VEBO Collector Current 20 Adc IC Total Power Dissipation @ T = +250C (

Другие транзисторы: 2N3834, 2N3835, 2N3836, 2N3837, 2N3838, 2N3839, 2N384, 2N3840, 2SD669A, 2N3842, 2N3842A, 2N3843, 2N384-33, 2N3843A, 2N3844, 2N3844A, 2N3845