Справочник транзисторов. 2N3855

 

Биполярный транзистор 2N3855 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2N3855
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 18 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 130 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: TO92
 

 Аналог (замена) для 2N3855

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N3855 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:58K  fairchild semi
2n3859a.pdfpdf_icon

2N3855

2N3859ANPN General Purpose Amplifier This device designed for use as general purpose amplifier and switches requiring collector currents to 300mA. Sourced from Process 10. See PN100 for characteristics.TO-9211. Emitter 2. Collector 3. BaseNPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings* Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCEO C

 9.2. Size:154K  no
2n3858.pdfpdf_icon

2N3855

Другие транзисторы... 2N3849 , 2N385 , 2N3850 , 2N3851 , 2N3852 , 2N3853 , 2N3854 , 2N3854A , 2SD882 , 2N3855A , 2N3856 , 2N3856A , 2N3857 , 2N3858 , 2N3858A , 2N3859 , 2N3859A .

 

 
Back to Top

 


 
.