Справочник транзисторов. 2N3857

 

Биполярный транзистор 2N3857 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2N3857
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 45
   Корпус транзистора: TO5
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2N3857 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:58K  fairchild semi
 2n3859a.pdf pdf_icon

2N3857

2N3859ANPN General Purpose Amplifier This device designed for use as general purpose amplifier and switches requiring collector currents to 300mA. Sourced from Process 10. See PN100 for characteristics.TO-9211. Emitter 2. Collector 3. BaseNPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings* Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCEO C

 9.2. Size:154K  no
 2n3858.pdf pdf_icon

2N3857

 9.3. Size:1285K  sprague
 2n3711 2n3721 2n3827 2n3858 2n3858a 2n3859 2n3859a 2n3860 2n3877 2n3877a 2n3900 2n3900a 2n3901 2n3903 2n3904 2n3905.pdf pdf_icon

2N3857

Другие транзисторы... 2N3852 , 2N3853 , 2N3854 , 2N3854A , 2N3855 , 2N3855A , 2N3856 , 2N3856A , 2SC5200 , 2N3858 , 2N3858A , 2N3859 , 2N3859A , 2N385A , 2N386 , 2N3860 , 2N3860A .

History: MJD112T4G | RT5P14BC | BSV17-10

 

 
Back to Top

 


 
.