K2101A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: K2101A  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1400 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO50

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для K2101A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

K2101A даташит

 9.1. Size:175K  fuji
 2sk2101 01mr.pdf pdf_icon

K2101A

N-channel MOS-FET 2SK2101-01MR FAP-IIA Series 800V 2,1 6A 50W > Features > Outline Drawing - High Speed Switching - Low On-Resistance - No Secondary Breakdown - Low Driving Power - High Voltage - VGS = 30V Guarantee - Avalanche Proof > Applications - Switching Regulators - UPS - DC-DC converters - General Purpose Power Amplifier > Maximum Ratings and Characteristics > Equ

 9.2. Size:162K  first silicon
 ftk2101.pdf pdf_icon

K2101A

SEMICONDUCTOR FTK2101 TECHNICAL DATA 20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET FEATURE 3 Leading Trench Technology for Low RDS(on) Extending Battery Life 2 1 SOT 323 APPLICATIONS High Side Load Switch Charging Circuit 3 D Single Cell Battery Applications such as Cell Phones, Digital Cameras ,PDAs, etc G 1 S 2 MARKING TS1 Maximum ratings (Ta=25 unless otherwise n

Другие транзисторы: JF494, JO1006, JO2015A, JO3020, JO4036, JO4045, JO4075, K2101, TIP41C, K2101B, K2102, K2102A, K2102B, K2103, K2103A, K2103B, K2104