K2101A - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

K2101A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: K2101A
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1400 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: TO50

 Аналоги (замена) для K2101A

 

K2101A Datasheet (PDF)

 9.1. Size:175K  fuji
 2sk2101 01mr.pdf pdf_icon

K2101A

N-channel MOS-FET 2SK2101-01MR FAP-IIA Series 800V 2,1 6A 50W > Features > Outline Drawing - High Speed Switching - Low On-Resistance - No Secondary Breakdown - Low Driving Power - High Voltage - VGS = 30V Guarantee - Avalanche Proof > Applications - Switching Regulators - UPS - DC-DC converters - General Purpose Power Amplifier > Maximum Ratings and Characteristics > Equ

 9.2. Size:162K  first silicon
 ftk2101.pdf pdf_icon

K2101A

SEMICONDUCTOR FTK2101 TECHNICAL DATA 20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET FEATURE 3 Leading Trench Technology for Low RDS(on) Extending Battery Life 2 1 SOT 323 APPLICATIONS High Side Load Switch Charging Circuit 3 D Single Cell Battery Applications such as Cell Phones, Digital Cameras ,PDAs, etc G 1 S 2 MARKING TS1 Maximum ratings (Ta=25 unless otherwise n

Другие транзисторы... JF494 , JO1006 , JO2015A , JO3020 , JO4036 , JO4045 , JO4075 , K2101 , TIP41C , K2101B , K2102 , K2102A , K2102B , K2103 , K2103A , K2103B , K2104 .

History: 2N2018 | 2SD1837 | BUT36 | IMB10AFRA | 2SA594R | RN2413 | BFW16A

 

 
Back to Top

 


 
.