Биполярный транзистор KSB834 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: KSB834
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 9 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 150 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора: TO220
KSB834 Datasheet (PDF)
ksb834.pdf
KSB834Low Frequency Power Amplifier Complement to KSD880TO-22011.Base 2.Collector 3.EmitterPNP Silicon Epitaxial TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage - 60 V VCEO Collector-Emitter Voltage - 60 V VEBO Emitter-Base Voltage - 7 V IC Collector Current - 3 AIB Base Current - 0.5 A PC
ksb834w.pdf
KSB834WLow Frequency Power Amplifier Complement to KSD880W1 D2-PAK1.Base 2.Collector 3.EmitterPNP Silicon Epitaxial TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage - 60 V VCEO Collector-Emitter Voltage - 60 V VEBO Emitter-Base Voltage - 7 V IC Collector Current - 3 AIB Base Current - 0.5 A P
ksb834w.pdf
Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur
ksb834w.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor KSB834WDESCRIPTIONComplement to KSD880W100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSLow frequency power amplifierABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage -60 VCBOV Collector-Emitter Voltage -60 VCEOV Emitter-Bas
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050