Справочник транзисторов. KSB906O

 

Биполярный транзистор KSB906O Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: KSB906O
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: TO252
 

 Аналог (замена) для KSB906O

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSB906O Datasheet (PDF)

 8.1. Size:66K  fairchild semi
 ksb906.pdf pdf_icon

KSB906O

KSB906Low Frequency Power Amplifier Low Collector- Emitter Saturation Voltage Complement to KSD12211I-PAK1. Base 2. Collector 3. EmitterPNP Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage - 60 V VCEO Collector-Emitter Voltage - 60 V VEBO Emitter-Base Voltage - 7 V IC Col

 9.1. Size:54K  fairchild semi
 ksb907.pdf pdf_icon

KSB906O

KSB907Power Amplifier Applications High DC Current Gain Low Collector-Emitter Saturation Voltage Built-in Damper Diode at E-C Darlington TR Complement to KSD12221I-PACK1. Base 2. Collector 3. EmitterPNP Silicon Darlington TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage - 60 V V

Другие транзисторы... KSB811Y , KSB817 , KSB817O , KSB817Y , KSB834 , KSB834O , KSB834Y , KSB906 , 2SA1943 , KSB906Y , KSB907 , KSC1008 , KSC1008G , KSC1008R , KSC1008Y , KSC1009 , KSC1009G .

History: C1815T | PN5131 | 2SC4297

 

 
Back to Top

 


 
.