KSB907 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KSB907  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 5000

Корпус транзистора: TO252

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KSB907

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSB907 даташит

 ..1. Size:54K  fairchild semi
 ksb907.pdf pdf_icon

KSB907

KSB907 Power Amplifier Applications High DC Current Gain Low Collector-Emitter Saturation Voltage Built-in Damper Diode at E-C Darlington TR Complement to KSD1222 1 I-PACK 1. Base 2. Collector 3. Emitter PNP Silicon Darlington Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage - 60 V V

 9.1. Size:66K  fairchild semi
 ksb906.pdf pdf_icon

KSB907

KSB906 Low Frequency Power Amplifier Low Collector- Emitter Saturation Voltage Complement to KSD1221 1 I-PAK 1. Base 2. Collector 3. Emitter PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage - 60 V VCEO Collector-Emitter Voltage - 60 V VEBO Emitter-Base Voltage - 7 V IC Col

Другие транзисторы: KSB817O, KSB817Y, KSB834, KSB834O, KSB834Y, KSB906, KSB906O, KSB906Y, 13007, KSC1008, KSC1008G, KSC1008R, KSC1008Y, KSC1009, KSC1009G, KSC1009R, KSC1009Y