Биполярный транзистор KSC1983 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: KSC1983
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 500
Корпус транзистора: TO220
KSC1983 Datasheet (PDF)
..1. Size:66K samsung
ksc1983.pdf
ksc1983.pdf
KSC1983 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTORHIGH POWER TRANSISTORTO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSCharacteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 80 V Collector-Emitter Voltage VCEO 60 V Emitter-Base Voltage VEBO 6 V Collector Current IC 3 A Base Current IB 1 A Collector Dissipation ( TC=25 ) PC 30 W Junction Temperature TJ 150 1.Base 2.Collector 3.Emitter Stora
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , BC327 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050