KSC1983 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KSC1983  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 500

Корпус транзистора: TO220

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KSC1983

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSC1983 даташит

 ..1. Size:66K  samsung
 ksc1983.pdf pdf_icon

KSC1983

KSC1983 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH POWER TRANSISTOR TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 80 V Collector-Emitter Voltage VCEO 60 V Emitter-Base Voltage VEBO 6 V Collector Current IC 3 A Base Current IB 1 A Collector Dissipation ( TC=25 ) PC 30 W Junction Temperature TJ 150 1.Base 2.Collector 3.Emitter Stora

Другие транзисторы: KSC1845P, KSC1845V, KSC184G, KSC184L, KSC184O, KSC184R, KSC184V, KSC184Y, B647, KSC2002, KSC2003, KSC2073, KSC2223, KSC2223O, KSC2223R, KSC2223Y, KSC2233