KSC1983 Todos los transistores

 

KSC1983 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KSC1983
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
   Tensión colector-base (Vcb): 80 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 15 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 500
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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KSC1983 Datasheet (PDF)

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KSC1983

KSC1983 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTORHIGH POWER TRANSISTORTO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSCharacteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 80 V Collector-Emitter Voltage VCEO 60 V Emitter-Base Voltage VEBO 6 V Collector Current IC 3 A Base Current IB 1 A Collector Dissipation ( TC=25 ) PC 30 W Junction Temperature TJ 150 1.Base 2.Collector 3.Emitter Stora

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