Справочник транзисторов. KSC5022

 

Биполярный транзистор KSC5022 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: KSC5022
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 800 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 500 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 18 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 80 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
   Корпус транзистора: TO3P
 

 Аналог (замена) для KSC5022

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSC5022 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:58K  fairchild semi
ksc5024.pdfpdf_icon

KSC5022

KSC5024High Voltage and High Reliabilty High Speed Switching Wide SOATO-3P11.Base 2.Collector 3.EmitterNPN Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 800 V VCEO Collector-Emitter Voltage 500 VVEBO Emitter- Base Voltage 7 VIC Collector Current (DC) 10 AICP Collector Current (

 8.2. Size:302K  fairchild semi
ksc5021.pdfpdf_icon

KSC5022

October 2008KSC5021NPN Silicon Transistor High Voltage and High Reliability High Speed Switching : tF = 0.1ms (Typ.) Wide SOATO-22011.Base 2.Collector 3.EmitterAbsolute Maximum Ratings TC = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units 800 VVCBO Collector-Base Voltage 500 VVCEO Collector-Emitter Voltage 7 VVEBO Emitter-Base Voltage 5 AIC C

 8.3. Size:120K  fairchild semi
ksc5026m.pdfpdf_icon

KSC5022

January 2011KSC5026MNPN Silicon TransistorFeatures High Voltage and High Reliability High Speed Switching Wide SOATO-12611. Emitter 2.Collector 3.BaseAbsolute Maximum Ratings TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 1100 VVCEO Collector-Emitter Voltage 800 VVEBO Emitter-Base Voltage 7 VIC Collector Current (D

 8.4. Size:53K  fairchild semi
ksc5027.pdfpdf_icon

KSC5022

KSC5027High Voltage and High Reliability High Speed Switching Wide SOATO-22011.Base 2.Collector 3.EmitterNPN Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 1100 V VCEO Collector-Emitter Voltage 800 V VEBO Emitter-Base Voltage 7 V IC Collector Current (DC) 3 A ICP Collector Curre

Другие транзисторы... KSC5020O , KSC5020R , KSC5020Y , KSC5021 , KSC5021F , KSC5021O , KSC5021R , KSC5021Y , BD777 , KSC5022O , KSC5022R , KSC5022Y , KSC5023 , KSC5023O , KSC5023R , KSC5023Y , KSC5024 .

 

 
Back to Top

 


 
.