Справочник транзисторов. KSC5027F

 

Биполярный транзистор KSC5027F Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: KSC5027F
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 35 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: TO220F
 

 Аналог (замена) для KSC5027F

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSC5027F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:74K  samsung
ksc5027f.pdfpdf_icon

KSC5027F

KSC5027F NPN SILICON TRANSISTORHIGH VOLTAGE AND HIGH RELIABILITYHIGH SPEED SWITCHINGTO-220FWIDE SOAABSOLUTE MAXIMUM RATINGSCharacteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 1100 V Collector-Emitter Voltage V CEO 800 V Emitter-Base Voltage VEBO 7 V Collector Current (DC) IC 3 A Collector Current (Pulse) IC 10 A Base Current IB 1.5 A Collector Dissipation (TC

 ..2. Size:215K  inchange semiconductor
ksc5027f.pdfpdf_icon

KSC5027F

isc Silicon NPN Power Transistor KSC5027FDESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 800V(Min)(BR)CEOFast Switching SpeedWide Area of Safe OperationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching regulator and high voltage switching applicationsHigh speed DC-DC converter applications.ABSOLUT

 7.1. Size:53K  fairchild semi
ksc5027.pdfpdf_icon

KSC5027F

KSC5027High Voltage and High Reliability High Speed Switching Wide SOATO-22011.Base 2.Collector 3.EmitterNPN Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 1100 V VCEO Collector-Emitter Voltage 800 V VEBO Emitter-Base Voltage 7 V IC Collector Current (DC) 3 A ICP Collector Curre

 7.2. Size:24K  samsung
ksc5027.pdfpdf_icon

KSC5027F

KSC5027 NPN SILICON TRANSISTORHIGH VOLTAGE AND HIGH RELIABILITYTO-220HIGH SPEED SWITCHINGWIDE SOAABSOLUTE MAXIMUM RATINGSCharacteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 1100 V Collector-Emitter Voltage VCEO 800 V Emitter-Base Voltage VEBO 7 V Collector Current (DC) IC 3 A Collector Current (Pulse) IC 10 A Base Current IB 1.5 A1.Base 2.Collector 3.Emitter

Другие транзисторы... KSC5025O , KSC5025R , KSC5025Y , KSC5026 , KSC5026N , KSC5026O , KSC5026R , KSC5027 , TIP3055 , KSC5027N , KSC5027O , KSC5027R , KSC5028 , KSC5028N , KSC5028O , KSC5028R , KSC5029 .

History: BFV50

 

 
Back to Top

 


 
.