KSC5027F datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KSC5027F  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 35 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO220F

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KSC5027F

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSC5027F даташит

 ..1. Size:74K  samsung
 ksc5027f.pdf pdf_icon

KSC5027F

KSC5027F NPN SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE AND HIGH RELIABILITY HIGH SPEED SWITCHING TO-220F WIDE SOA ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 1100 V Collector-Emitter Voltage V CEO 800 V Emitter-Base Voltage VEBO 7 V Collector Current (DC) IC 3 A Collector Current (Pulse) IC 10 A Base Current IB 1.5 A Collector Dissipation (TC

 ..2. Size:215K  inchange semiconductor
 ksc5027f.pdf pdf_icon

KSC5027F

isc Silicon NPN Power Transistor KSC5027F DESCRIPTION High Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 800V(Min) (BR)CEO Fast Switching Speed Wide Area of Safe Operation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching regulator and high voltage switching applications High speed DC-DC converter applications. ABSOLUT

 7.1. Size:53K  fairchild semi
 ksc5027.pdf pdf_icon

KSC5027F

KSC5027 High Voltage and High Reliability High Speed Switching Wide SOA TO-220 1 1.Base 2.Collector 3.Emitter NPN Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 1100 V VCEO Collector-Emitter Voltage 800 V VEBO Emitter-Base Voltage 7 V IC Collector Current (DC) 3 A ICP Collector Curre

 7.2. Size:24K  samsung
 ksc5027.pdf pdf_icon

KSC5027F

KSC5027 NPN SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE AND HIGH RELIABILITY TO-220 HIGH SPEED SWITCHING WIDE SOA ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 1100 V Collector-Emitter Voltage VCEO 800 V Emitter-Base Voltage VEBO 7 V Collector Current (DC) IC 3 A Collector Current (Pulse) IC 10 A Base Current IB 1.5 A 1.Base 2.Collector 3.Emitter

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: KSC5025O, KSC5025R, KSC5025Y, KSC5026, KSC5026N, KSC5026O, KSC5026R, KSC5027, 2SC2073, KSC5027N, KSC5027O, KSC5027R, KSC5028, KSC5028N, KSC5028O, KSC5028R, KSC5029