KSC5027F - описание и поиск аналогов

 

KSC5027F - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: KSC5027F
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 35 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: TO220F

 Аналоги (замена) для KSC5027F

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSC5027F - технические параметры

 ..1. Size:74K  samsung
ksc5027f.pdfpdf_icon

KSC5027F

KSC5027F NPN SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE AND HIGH RELIABILITY HIGH SPEED SWITCHING TO-220F WIDE SOA ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 1100 V Collector-Emitter Voltage V CEO 800 V Emitter-Base Voltage VEBO 7 V Collector Current (DC) IC 3 A Collector Current (Pulse) IC 10 A Base Current IB 1.5 A Collector Dissipation (TC

 ..2. Size:215K  inchange semiconductor
ksc5027f.pdfpdf_icon

KSC5027F

isc Silicon NPN Power Transistor KSC5027F DESCRIPTION High Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 800V(Min) (BR)CEO Fast Switching Speed Wide Area of Safe Operation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching regulator and high voltage switching applications High speed DC-DC converter applications. ABSOLUT

 7.1. Size:53K  fairchild semi
ksc5027.pdfpdf_icon

KSC5027F

KSC5027 High Voltage and High Reliability High Speed Switching Wide SOA TO-220 1 1.Base 2.Collector 3.Emitter NPN Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 1100 V VCEO Collector-Emitter Voltage 800 V VEBO Emitter-Base Voltage 7 V IC Collector Current (DC) 3 A ICP Collector Curre

 7.2. Size:24K  samsung
ksc5027.pdfpdf_icon

KSC5027F

KSC5027 NPN SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE AND HIGH RELIABILITY TO-220 HIGH SPEED SWITCHING WIDE SOA ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 1100 V Collector-Emitter Voltage VCEO 800 V Emitter-Base Voltage VEBO 7 V Collector Current (DC) IC 3 A Collector Current (Pulse) IC 10 A Base Current IB 1.5 A 1.Base 2.Collector 3.Emitter

Другие транзисторы... KSC5025O , KSC5025R , KSC5025Y , KSC5026 , KSC5026N , KSC5026O , KSC5026R , KSC5027 , A1015 , KSC5027N , KSC5027O , KSC5027R , KSC5028 , KSC5028N , KSC5028O , KSC5028R , KSC5029 .

 

 
Back to Top

 


 
.