KSC900 - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

KSC900 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: KSC900
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для KSC900

 

KSC900 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:40K  fairchild semi
 ksc900.pdf pdf_icon

KSC900

KSC900 Low Frequency & Low Noise Amplifier Collector-Base Voltage VCBO=30V Low Noise Level NL=50mV (MAX) Suffix -C means Center Collector (1. Emitter 2. Collector 3. Base) TO-92 1 1. Emitter 2. Base 3. Collector NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 30 V

Другие транзисторы... KSC838R , KSC838Y , KSC839 , KSC839G , KSC839O , KSC839R , KSC839Y , KSC853 , TIP142 , KSC900G , KSC900L , KSC900V , KSC900Y , KSC921 , KSC945 , KSC945G , KSC945L .

History: BFV88 | U2TB406 | 2N3999 | UMD2N | K2118 | 2SD1835U | UN911H

 

 
Back to Top

 


 
.