KSD1621T datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: KSD1621T 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 19 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200
Корпус транзистора: SOT89
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для KSD1621T
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
KSD1621T даташит
ksd1621.pdf
August 2009 KSD1621 NPN Epitaxial Silicon Transistor Features High Current Driver Applications Low Collector-Emitter Saturation Voltage Large Current Capacity and Wide SOA Fast Switching Speed Complement to KSB1121 Marking 1 6 2 1 P Y W W SOT-89 1 Weekly code 1. Base 2. Collector 3. Emitter Year code hFE grade Absolute Maximum Ratings TA = 25 C unless othe
ksd1691.pdf
KSD1691 Feature Low Collector-Emtter Saturation Voltage & Large Collector Current High Power Dissipation PC = 1.3W (Ta=25 C) Complementary to KSB1151 TO-126 1 1. Emitter 2.Collector 3.Base NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 60 V VCEO Collector-Emitter Volta
ksd1616a.pdf
November 2007 KSD1616/1616A Audio Frequency Power Amplifier & Medium Speed Switching Complement to KSB1116/1116A TO-92 1 1. Emitter 2. Collector 3. Base Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings Units VCBO Collector-Base Voltage KSD1616 60 V KSD1616A 120 V VCEO Collector-Emitter Voltage KSD1616 50 V KSD1616A 60 V VEBO Emitter-Bas
ksd1616.pdf
KSD1616/1616A Audio Frequency Power Amplifier & Medium Speed Switching Complement to KSB1116/1116A TO-92 1 1. Emitter 2. Collector 3. Base NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings Units VCBO Collector-Base Voltage KSD1616 60 V KSD1616A 120 V VCEO Collector-Emitter Voltage KSD1616 50 V KSD1616A
Другие транзисторы: KSD1616AG, KSD1616AL, KSD1616AY, KSD1616G, KSD1616L, KSD1621, KSD1621R, KSD1621S, TIP35C, KSD1621U, KSD1691, KSD1691O, KSD1691Q, KSD1691Y, KSD1692, KSD1692G, KSD1692O
Параметры биполярного транзистора и их взаимосвязь
Список транзисторов
Обновления
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
Popular searches
transistor 2222a | 8050 transistor | bc238 | 2sb772 | 2n2222a-1726 datasheet | bc516 | 2n3391 equivalent | a562 transistor












