KSD1944 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KSD1944  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 400

Корпус транзистора: TO220F

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KSD1944

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSD1944 даташит

 ..1. Size:43K  fairchild semi
 ksd1944.pdf pdf_icon

KSD1944

KSD1944 High Gain Power Transistor TO-220F 1 1.Base 2.Collector 3.Emitter NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 80 V VCEO Collector-Emitter Voltage 60 V VEBO Emitter-Base Voltage 8 V IC Collector Current 3 A PC Collector Current (TC=25 C) 30 W TJ Junction Temperature 15

Другие транзисторы: KSD1691Q, KSD1691Y, KSD1692, KSD1692G, KSD1692O, KSD1692Y, KSD1693, KSD1943, TIP42, KSD2012, KSD2012G, KSD2012Y, KSD2058, KSD227, KSD227G, KSD227O, KSD227Y