KSD1944 - описание и поиск аналогов

 

KSD1944 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: KSD1944
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 400
   Корпус транзистора: TO220F

 Аналоги (замена) для KSD1944

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSD1944 - технические параметры

 ..1. Size:43K  fairchild semi
 ksd1944.pdf pdf_icon

KSD1944

KSD1944 High Gain Power Transistor TO-220F 1 1.Base 2.Collector 3.Emitter NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 80 V VCEO Collector-Emitter Voltage 60 V VEBO Emitter-Base Voltage 8 V IC Collector Current 3 A PC Collector Current (TC=25 C) 30 W TJ Junction Temperature 15

Другие транзисторы... KSD1691Q , KSD1691Y , KSD1692 , KSD1692G , KSD1692O , KSD1692Y , KSD1693 , KSD1943 , TIP42 , KSD2012 , KSD2012G , KSD2012Y , KSD2058 , KSD227 , KSD227G , KSD227O , KSD227Y .

History: KSD1691Q | KSD1692G | ESM4012

 

 
Back to Top

 


 
.