Биполярный транзистор KSD2012Y - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: KSD2012Y
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 9 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: TO220
KSD2012Y Datasheet (PDF)
ksd2012.pdf
KSD2012Low Frequency Power Amplifier Complement to KSB1366TO-220F11.Base 2.Collector 3.EmitterNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 60 V VCEO Collector-Emitter Voltage 60 V VEBO Emitter-Base Voltage 7 VIC Collector Current 3 AIB Base Current 0.3 APC Collector
ksd2058.pdf
KSD2058Low Frequency Power AmplifierTO-220F11.Base 2.Collector 3.EmitterNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 60 V VCEO Collector-Emitter Voltage 60 V VEBO Emitter-Base Voltage 7 VIC Collector Current 3 AIB Base Current 0.5 APC Collector Dissipation (Ta=25C) 1.5
ksd2058.pdf
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors KSD2058 DESCRIPTION With TO-220F package Complement to type KSB1366 APPLICATIONS With general purpose applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 CollectorFig.1 simplified outline (TO-220F) and symbol3 EmitterAbsolute maximum ratings (Ta=25) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MAX UNITVCBO
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D882P , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
