KSD227G - описание и поиск аналогов

 

KSD227G - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: KSD227G
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для KSD227G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSD227G - технические параметры

 8.1. Size:40K  fairchild semi
 ksd227.pdf pdf_icon

KSD227G

KSD227 Low Frequency Power Amplifier Complement to KSA642 Collector Power Dissipation PC=400mW TO-92 1 1. Emitter 2. Base 3. Collector NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings Units VCBO Collector-Base Voltage 30 V VCEO Collector-Emitter Voltage 25 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Curre

Другие транзисторы... KSD1693 , KSD1943 , KSD1944 , KSD2012 , KSD2012G , KSD2012Y , KSD2058 , KSD227 , 2SC2655 , KSD227O , KSD227Y , KSD261 , KSD261G , KSD261O , KSD261R , KSD261Y , KSD288 .

 

 
Back to Top

 


 
.