Биполярный транзистор KSD227G - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: KSD227G
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора: TO92
KSD227G Datasheet (PDF)
8.1. Size:40K fairchild semi
ksd227.pdf
ksd227.pdf
KSD227Low Frequency Power Amplifier Complement to KSA642 Collector Power Dissipation : PC=400mWTO-9211. Emitter 2. Base 3. CollectorNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings UnitsVCBO Collector-Base Voltage 30 VVCEO Collector-Emitter Voltage 25 VVEBO Emitter-Base Voltage 5 VIC Collector Curre
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050