Справочник транзисторов. KSD261G

 

Биполярный транзистор KSD261G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: KSD261G
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: TO92
 

 Аналог (замена) для KSD261G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSD261G Datasheet (PDF)

 8.1. Size:39K  fairchild semi
 ksd261.pdf pdf_icon

KSD261G

KSD261Low Frequency Power Amplifier Complement to KSA643 Collector Power Dissipation : PC=500mW Suffix -C means Center Collector (1. Emitter 2. Collector 3. Base)TO-9211. Emitter 2. Base 3. CollectorNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings UnitsVCBO Collector-Base Voltage 40 VVCEO Col

Другие транзисторы... KSD2012G , KSD2012Y , KSD2058 , KSD227 , KSD227G , KSD227O , KSD227Y , KSD261 , D880 , KSD261O , KSD261R , KSD261Y , KSD288 , KSD288O , KSD288R , KSD288Y , KSD362 .

 

 
Back to Top

 


 
.