KSD288O datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KSD288O  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 55 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: TO220

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KSD288O

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSD288O даташит

 8.1. Size:42K  fairchild semi
 ksd288.pdf pdf_icon

KSD288O

KSD288 Power Regulator Low Frequency High Power Amplifier Collector-Base Voltage VCBO=80V Collector Dissipation PC=25W(TC=25 C) TO-220 1 1.Base 2.Collector 3.Emitter NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 80 V VCEO Collector-Emitter Voltage 55 V VEBO Emitter-

Другие транзисторы: KSD227O, KSD227Y, KSD261, KSD261G, KSD261O, KSD261R, KSD261Y, KSD288, 2SD669A, KSD288R, KSD288Y, KSD362, KSD362N, KSD362O, KSD362R, KSD363, KSD363O