Справочник транзисторов. KSD288O

 

Биполярный транзистор KSD288O Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: KSD288O
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 55 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
   Корпус транзистора: TO220
 
   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSD288O Datasheet (PDF)

 8.1. Size:42K  fairchild semi
 ksd288.pdf pdf_icon

KSD288O

KSD288Power Regulator Low Frequency High Power Amplifier Collector-Base Voltage : VCBO=80V Collector Dissipation : PC=25W(TC=25C)TO-22011.Base 2.Collector 3.EmitterNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 80 V VCEO Collector-Emitter Voltage 55 V VEBO Emitter-

Другие транзисторы... KSD227O , KSD227Y , KSD261 , KSD261G , KSD261O , KSD261R , KSD261Y , KSD288 , TIP2955 , KSD288R , KSD288Y , KSD362 , KSD362N , KSD362O , KSD362R , KSD363 , KSD363O .

History: EMX1DXV6T1G | 2SC886

 

 
Back to Top

 


 
.