KSD5057 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KSD5057  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 8

Корпус транзистора: TO247

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KSD5057

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSD5057 даташит

 ..1. Size:132K  inchange semiconductor
 ksd5057.pdf pdf_icon

KSD5057

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor KSD5057 DESCRIPTION High Breakdown Voltage- VCBO= 1500V (Min) High Switching Speed High Reliability Built-in Damper Diode APPLICATIONS Designed for color monitor horizontal output applicaitions ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCBO Collector-Base Vo

 8.1. Size:128K  inchange semiconductor
 ksd5059.pdf pdf_icon

KSD5057

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor KSD5059 DESCRIPTION High Breakdown Voltage- VCBO= 1500V (Min) High Switching Speed High Reliability APPLICATIONS Designed for color monitor horizontal output applicaitions ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCBO Collector-Base Voltage 1500 V VCEO Collec

 8.2. Size:128K  inchange semiconductor
 ksd5058.pdf pdf_icon

KSD5057

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor KSD5058 DESCRIPTION High Breakdown Voltage- VCBO= 1500V (Min) High Switching Speed High Reliability APPLICATIONS Designed for color monitor horizontal output applicaitions ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCBO Collector-Base Voltage 1500 V VCEO Collec

 8.3. Size:132K  inchange semiconductor
 ksd5056.pdf pdf_icon

KSD5057

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor KSD5056 DESCRIPTION High Breakdown Voltage- VCBO= 1500V (Min) High Switching Speed High Reliability Built-in Damper Diode APPLICATIONS Designed for color monitor horizontal output applicaitions ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCBO Collector-Base Vo

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: KSD5017, KSD5018, KSD5041, KSD5041O, KSD5041P, KSD5041Q, KSD5049, KSD5056, TIP122, KSD5058, KSD5059, KSD5060, KSD5061, KSD5062, KSD5064, KSD5065, KSD5066