Справочник транзисторов. KSD5057

 

Биполярный транзистор KSD5057 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: KSD5057
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 8
   Корпус транзистора: TO247
 

 Аналог (замена) для KSD5057

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSD5057 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:132K  inchange semiconductor
 ksd5057.pdf pdf_icon

KSD5057

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor KSD5057 DESCRIPTION High Breakdown Voltage- : VCBO= 1500V (Min) High Switching Speed High Reliability Built-in Damper Diode APPLICATIONS Designed for color monitor horizontal output applicaitions ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL PARAMETER VALUE UNITVCBO Collector-Base Vo

 8.1. Size:128K  inchange semiconductor
 ksd5059.pdf pdf_icon

KSD5057

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor KSD5059 DESCRIPTION High Breakdown Voltage- : VCBO= 1500V (Min) High Switching Speed High Reliability APPLICATIONS Designed for color monitor horizontal output applicaitions ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL PARAMETER VALUE UNITVCBO Collector-Base Voltage 1500 V VCEO Collec

 8.2. Size:128K  inchange semiconductor
 ksd5058.pdf pdf_icon

KSD5057

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor KSD5058 DESCRIPTION High Breakdown Voltage- : VCBO= 1500V (Min) High Switching Speed High Reliability APPLICATIONS Designed for color monitor horizontal output applicaitions ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL PARAMETER VALUE UNITVCBO Collector-Base Voltage 1500 V VCEO Collec

 8.3. Size:132K  inchange semiconductor
 ksd5056.pdf pdf_icon

KSD5057

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor KSD5056 DESCRIPTION High Breakdown Voltage- : VCBO= 1500V (Min) High Switching Speed High Reliability Built-in Damper Diode APPLICATIONS Designed for color monitor horizontal output applicaitions ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL PARAMETER VALUE UNITVCBO Collector-Base Vo

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... KSD5017 , KSD5018 , KSD5041 , KSD5041O , KSD5041P , KSD5041Q , KSD5049 , KSD5056 , 2SA1943 , KSD5058 , KSD5059 , KSD5060 , KSD5061 , KSD5062 , KSD5064 , KSD5065 , KSD5066 .

History: 2SC3446M

 

 
Back to Top

 


 
.